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上次，介绍了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中介绍的硅外延炉，湿法清洗机，氧化炉，见文章：
《聊聊国内首台重大技术装备（1）》
这次来解读一下目录中提到的匀胶显影机，光刻机及离子注入机。
匀胶显影机，光刻机，离子注入机解读
匀胶显影机，也可以叫做track，一般匀胶显影是集成在一起，而不是分开的。因此track机台的主要功能包括光刻胶旋涂，烘烤，显影，清洗等功能。光刻胶旋涂是将光刻胶以高速旋转的方式均匀地涂布在晶圆表面；烘烤则是为了以去除光刻胶中的溶剂，稳定光刻胶层，提高其附着力；显影是为了去除正胶的曝光区域或负胶的未曝光区域。
国产的光刻机中有KrF光刻机与ArF光刻机。从目录上看，KrF光刻机分辨率小于110nm，ArF光刻机小于65nm。这应该是上海微电子的产品，至于ArF光刻机应当是非浸没式的。这两款光刻机相对于主流机台还落后不少，做IC芯片无法胜任，不过是可以应用于MEMS，LED,先进封装领域。
量产光刻机可用的波长分别为：G线（436nm），i线（365nm），KrF（248nm），ArF（193nm），EUV（13nm）。G线和 i线属于紫外线（UV），可以由汞灯，LED灯产生；KrF，ArF属于深紫外线（DUV），分别由氟化氪准分子激光器，氟化氩准分子激光器产生；EUV是极紫外光，可以由激光等离子体产生。
离子注入机的种类繁多，如果按能量来分，有低能（＜100KeV）、中能(100～300KeV）、高能(300～1000KeV）和兆伏离子注入机（≥1000KeV）；按束流分，有小束流，中束流（1～2mA）和大束流。
在目录中看到了离子注入机的种类有高能离子注入机，低能离子注入机。高能离子注入机适用于深层掺杂，低能离子注入机适用于浅层掺杂或表面改性。由于集成电路制程已经缩小至几纳米，源漏极的结深相应减小，为了实现浅层掺杂，低能大束流日渐成为主流，其技术难度也最高。
国内外厂家有哪些？
匀胶显影机
国外：VEECO,TEL,DNS,ASAP,EVG,SUSS等
国内：至纯，芯源微，沈阳科仪等
光刻机
国外：ASML,Nikon，Canon，VEECO，EVG,SUSS等
国内：上海微电子等
离子注入机
国外：AMAT,AXCELIS,ULVAC
国内:汉辰（台湾），凯士通，烁科中科信等