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北京康迪建设监理咨询有限公司网站,简述搜索引擎的工作原理,自学网站建设买什么书,查看wordpress代码DDR4(第四代双倍数据率同步动态随机存储器SDRAM) 关于内存方面知识,大部分人、包括我自己也不是很懂,希望此篇文章能起到点作用,做硬件的就得把相关专业知识学牢了,尤其是专业术语。 下面是DDR4知识做一次…

DDR4(第四代双倍数据率同步动态随机存储器SDRAM)

关于内存方面知识,大部分人、包括我自己也不是很懂,希望此篇文章能起到点作用,做硬件的就得把相关专业知识学牢了,尤其是专业术语。

下面是DDR4知识做一次分享,之所以选择介绍DDR4,是因为现在DDR5的应用还较少,而DDR4的使用普遍,当然后面还会考虑介绍DDR3,下文中就有一部分是DDR4跟DDR3的对比,我们先把DDR4的硬件相关知识给吃透了。有错误或者更深了解的可以留言指正。

首先我们来了解下DDR4的新特性:

一:性能大幅提升:

从DDR3的1600Mbps提升到DDR4的3200Mbps。理论速率可达到2倍。
在这里插入图片描述
二:低能耗,高能效:

采用先进工艺技术,可以在提高性能、降低成本同时减少能耗。

1.2V POD:采用低电压供电和伪开漏接口,可以降低功耗。
在这里插入图片描述
DDR3接口标准,短截线串联端接逻辑(Stub Series Termination Logic,SSTL)和DDR4接口标准,“伪开漏”(PseudoOpen Drain,POD)进行了详细研究和异同比较。
在这里插入图片描述
POD 作为 DDR4 新的驱动标准,最大的区别在于接收端的终端电压等于VDDQ;而 DDR3 所采用的 SSTL 接收端的终端电压为 VDDQ/2。

伪开漏(POD)I/O缓冲

DDR4的I/O缓冲已经从DDR3的推挽(push-pull)改成了伪开漏(pseudo open drain)模式;POD输出高时,接收端跟发送端两端电压是一样的,故而没有电流流动,只有当输出低的时候才会损耗能量,故可以做到减低开关电流,如若再使能DBI功能,可以更进一步节省开关电流,从而减低串扰,最终获得更好的眼图。

三:可靠性显著提高

增加写操作循环冗余检验(Write CRC)可帮助识别多位故障。

增加命令(CMD)、地址(ADD)通路的奇偶校验(Parity)发生故障。

http://www.dinnco.com/news/11878.html

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